16.08.2016 Новости, Серверы и системы храненияКомпания Samsung Electronics на конференции Flash Memory Summit 2016 (FMS) объявила о выпуске прототипов решений флэш-памяти нового поколения. Компания продемонстрировала память 4-го поколения Vertical NAND (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных накопителей с большой емкостью корпоративного класса, а также накопитель Z-SSD — новое решение с уровнем производительности флэш-накопителя. 64-слойная флэш-память V-NAND (трехуровневые ячейки) 4-го поколения позволяет расширить возможности памяти NAND с точки зрения масштабирования, производительности и объемов накопителей. Память V-NAND 4-го поколения Samsung включает на 30% больше слоев матриц элементов по сравнению с предшествующей моделью. Благодаря 64 слоям матриц элементов в новой памяти V-NAND можно увеличить плотность на кристалл до уровня 512 Гбайт (по утверждению производителя, лучшего в отрасли) и скорость ввода-вывода до 800 Мбит/с. Начиная с августа 2013 г. компания Samsung уже успела представить три поколения «первых в отрасли» продуктов V-NAND с 24, 32 и 48 вертикальными слоями матриц элементов. Компания планирует начать поставки новой продукции в IV квартале текущего года. Samsung также представила твердотельный диск SAS 32 Тбайт для корпоративных систем хранения данных. Последняя модель твердотельного накопителя Serial Attached SCSI (SAS) от Samsung — это самый крупный в мире диск на основе 512-Гбит чипов V-NAND. В целом 512 чипов V-NAND объединены в 16 слоев и образуют таким образом ...
читать далее.
