01.03.2019  Новости, Мобильные и беспроводные решения

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 емкостью 512 Гб для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультра-широкими экранами с высоким разрешением. «Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультра-тонких ноутбуках, — говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. — По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии емкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать». Samsung начала производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего четыре года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультра-тонких ноутбуках. В накопителе Samsung eUFS 3.0 емкостью 512 Гб используется восемь ... читать далее.