Уважаемые партнеры! Приглашаем принять участие в акции «Бонусы под елкой!». Спешите получить бонус до 6% за закупку периферии Acer. Новым партнерам предусмотрен дополнительный бонус. В акции принимают участие: клавиатуры, мыши, коврики, наушники, презентеры, рюкзаки и сумки для ноутбука. Период ...
Уважаемые партнеры! Treolan предлагает вам принять участие в программе по телефонам Fanvil. Совершая закупку телефонов Fanvil в Treolan, вы можете получить подарочные карты федеральных сетей на ваш выбор. Для участия в программе необходимо зарегистрироваться
1 дилер, максимально увеличивший закупки продукции Бастион в период проведения акции в процентном соотношении к предыдущему периоду*, но не менее 2 000 000 руб., получит бонус 160 000 руб. 6 дилеров, максимально увеличившие закупки продукции Бастион в период проведения акции в процентном ...
Уважаемые партнеры! Приглашаем принять участие в маркетинговой акции! В период с 20.10 по 20.11.25 г. закупайте СВЧ и мини-печи Hyundai, Vitek и STARWIND и получите бонус до 400 руб. за каждую приобретенную позицию. - Минимальная сумма заказа – 100 единиц товара (любые позиции). - ...
Уважаемые партнеры! Спешим поделиться отличной новостью: мы запускаем акцию на популярное оборудование Newland, которое уже доступно прямо с нашего склада! Это прекрасная возможность оперативно обновить ваш парк техники и получить дополнительные преимущества. В рамках специального предложения мы ...
Компания NXP Semiconductors представила высокочастотный NPN-транзистор BFU725F, с частотой переключения до 70 ГГц. Он отвечает требованиям директивы RoHS и характеризуется уровнем шумов 0,43 дБ при частоте 1,8 ГГц и 0,7 дБ при частоте 5,8 ГГц. Уровень максимального стабильного усиления составляет 27 дБ при частоте 1,8 ГГц и 10 дБ при частоте 18 ГГц. Транзистор заключен в пластиковый корпус для поверхностного монтажа SOT343F и предназначен для использования в GPS-навигаторах, DECT-телефонах, спутниковых радиосистемах и устройствах WLAN/CDMA. При разработке транзистора BFU725F c целью минимизации производственных расходов был использован технологический процесс SiGeC (кремний-германий-углерод), применяемый при выпуске дискретных компонентов, а также при производстве монолитных микросхем и широкополосных транзисторов. Это позволило ... читать далее.
