19.12.2007  Новости, Идеи и практики автоматизации, Компоненты и комплектующие

Гонка в полупроводниковом микромире продолжается IBM объявила о разработке в содружестве со своими партнерами — AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon и Samsung — новой технологии, позволяющей перейти к производству следующего поколения компьютерных микрочипов по 32-нм технологическому процессу. Принципиальным новшеством здесь является материал транзисторного затвора — не кремниевый, а металлический с высокой диэлектрической постоянной k (технология “high-k/metal gate”). По данным разработчиков, это позволяет уменьшить ток утечки транзистора и тем самым сократить тепловыделение, обуславливающее недопустимый перегрев микрочипа, состоящего из сотен миллионов (а в дальнейшем и миллиардов) транзисторов. Новая разработка имеет принципиальный характер, ибо позволяет мировой микроэлектронике выйти из тупика, в который, как еще недавно полагали эксперты, зашел процесс дальнейшей миниатюризации микрочипов. Напомним, что до сих пор (вот уже более сорока лет) в транзисторном затворе использовался диоксид кремния (SiO₂). Миниатюризация транзисторов требовала всё большего уменьшения подзатворного слоя, что обуславливало увеличение тока утечки. Применение же вместо диоксида кремния нового материала (при той же толщине слоя), как ожидается, позволит сократить утечку тока не менее чем в сто раз. По заявлению IBM, новая технология даст возможность выпускать процессоры, размеры которых будут на 50% меньше, чем у моделей, созданных по 45-нм ... читать далее.