22.04.2008 Новости, Идеи и практики автоматизации, Компоненты и комплектующиеКорпорация IBM и ее партнеры по совместным разработкам — компании Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon Technologies, Samsung Electronics, STMicroelectronics и Toshiba — сообщили о результатах совместных испытаний новой полупроводниковой технологии, известной как HKMG (High-K/Metal Gate, “изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор”). Первые образцы чипов были выпущены с использованием 300-мм кремниевых подложек на полупроводниковом предприятии IBM, расположенном недалеко от Нью-Йорка. Новейшая технология чипов теперь готова к разработке промышленных образцов и, в перспективе, к подготовке их массового производства. В результате тестовых испытаний участниками альянса было установлено, что новые чипы, созданные по 32-нанометровой производственной технологии, работают почти на 35% быстрее по сравнению с современными полупроводниковыми микросхемами на базе 45-нанометровой технологии, функционирующими на таком же напряжении. При этом, в зависимости от величины рабочего напряжения, энергопотребление 32-нм чипа может быть на 30-50% меньше по сравнению с 45-нм микросхемами. Более того, при проведении сравнительных испытаний производительности было установлено, что опытный чип на основе материала HKMG работает до 40% быстрее стандартного микропроцессора, изготовленного на основе традиционного материала Poly/SiON при аналогичных технологических параметрах. IBM, Chartered и Samsung, как основные участники ...
читать далее.
